IRFH7004TR2PBF Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6, Infineon Technologies

IRFH7004TR2PBF характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®, StrongIRFET™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-VQFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-PQFN (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	156W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 mOhm @ 100A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.9V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	194nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6419pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®, StrongIRFET™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-VQFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-PQFN (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	156W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 mOhm @ 100A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.9V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	194nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6419pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V