IRFH6200TR2PBF Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN, Infineon Technologies

IRFH6200TR2PBF характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PQFN (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	3.6W (Ta), 156W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.95 mOhm @ 50A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.1V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	230nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	10890pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Vgs (Max)	±12V

Характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PQFN (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	3.6W (Ta), 156W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.95 mOhm @ 50A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.1V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	230nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	10890pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Vgs (Max)	±12V