Каталог товаров
Назад

IRFH5302TRPBF

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 32А; 3,6Вт; PQFN5X6
385
  • 1 шт
    385 ₽
  • 10 шт
    204 ₽
  • 100 шт
    144 ₽
  • 500 шт
    119 ₽
  • 1000 шт
    110 ₽
  • 2000 шт
    103 ₽
  • 4000 шт
    101 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 385
При покупке кэшбэк 57 баллов


IRFH5302TRPBF характеристики

Серия HEXFET®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerVDFN
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса PQFN (5x6) Single Die
Рассеивание мощности (Макс) 3.6W (Ta), 100W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 mOhm @ 50A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 76nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4400pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V
  • Производитель
    Infineon Technologies

Характеристики

Серия HEXFET®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerVDFN
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса PQFN (5x6) Single Die
Рассеивание мощности (Макс) 3.6W (Ta), 100W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 mOhm @ 50A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 76nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4400pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V

IRFH5302TRPBF

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 32А; 3,6Вт; PQFN5X6
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Infineon Technologies

Бесплатная доставка IRFH5302TRPBF по России

Транзисторы — полевые — одиночные IRFH5302TRPBF Infineon Technologies доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить IRFH5302TRPBF с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,03А; 0,89Вт; SOT23A-3
3,000 шт.
525 шт.
от 33 ₽
+ 25
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
1 шт.
13800 шт.
от 127 ₽
+ 19
AO3400
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
3,000 шт.
534 шт.
от 42 ₽
+ 170
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,7А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
588078 шт.
от 104 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
635732 шт.
от 104 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,2А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
12701 шт.
от 104 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
1 шт.
25249 шт.
от 86 ₽
+ 13
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,9А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
521592 шт.
от 100 ₽
+ 15
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,9А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
66998 шт.
от 95 ₽
+ 14
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,3А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
743385 шт.
от 104 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
1 шт.
24078 шт.
от 93 ₽
+ 14
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23
1 шт.
21248 шт.
от 100 ₽
+ 15