IRFH5250TR2PBF Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 25V 45A PQFN, Infineon Technologies

IRFH5250TR2PBF характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-VQFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PQFN (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	3.6W (Ta), 160W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	45A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.15 mOhm @ 50A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.35V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7174pF @ 13V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-VQFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PQFN (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	3.6W (Ta), 160W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	45A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.15 mOhm @ 50A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.35V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7174pF @ 13V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V