IRFH5215TRPBF Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 5А; 3,6Вт; PQFN5X6, Infineon Technologies

IRFH5215TRPBF характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-VQFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PQFN (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	3.6W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	150V
Ток стока (Id) @ 25°C	5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58 mOhm @ 16A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1350pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-VQFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PQFN (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	3.6W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	150V
Ток стока (Id) @ 25°C	5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58 mOhm @ 16A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1350pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V