+7 (495) 133-39-03 | info@zener.ru
+7 (495) 133-39-03
корзина
Нет товаров
Электронные компоненты оптом и в розницу
корзина
Нет товаров
Каталог товаров
Назад
Все категории
Назад

IRFB3207ZGPBF

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 120А; 300Вт; TO220AB
592 ₽
  • 2 шт
    592 ₽
  • 4 шт
    395 ₽
Добавить в корзину 2 шт на сумму 1 184 ₽
При покупке кэшбэк 177 баллов
Добавить в корзину


IRFB3207ZGPBF характеристики
Серия HEXFET®
Part Status Not For New Designs
Упаковка Tube
Вид монтажа Through Hole
Корпус TO-220-3
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса TO-220AB
Рассеивание мощности (Макс) 300W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 75V
Ток стока (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1 mOhm @ 75A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6920pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±20V
  • Производитель
    International Rectifier

Характеристики
Серия HEXFET®
Part Status Not For New Designs
Упаковка Tube
Вид монтажа Through Hole
Корпус TO-220-3
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса TO-220AB
Рассеивание мощности (Макс) 300W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 75V
Ток стока (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1 mOhm @ 75A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6920pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±20V

IRFB3207ZGPBF

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 120А; 300Вт; TO220AB
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    International Rectifier

Бесплатная доставка IRFB3207ZGPBF по России

Транзисторы — полевые — одиночные IRFB3207ZGPBF Infineon Technologies доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить IRFB3207ZGPBF с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Сопутствующие товары
273-AB
Wakefield-Vette
HEATSINK TO-220 LOW HEIGHT BLK
2,000 шт.
1518 шт.
от 86 ₽
+ 13
Подробнее
Смотреть все

Похожие товары
AO3160
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,03А; 0,89Вт; SOT23A-3
3,000 шт.
305 шт.
от 31 ₽
+ 23
AO3400A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,7А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
421232 шт.
от 88 ₽
+ 13
AO3401A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
523243 шт.
от 88 ₽
+ 13
AO3402
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,2А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
22739 шт.
от 88 ₽
+ 13
AO3403
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
1 шт.
23346 шт.
от 73 ₽
+ 11
Смотреть все
Выберите ваш город