IRF9358PBF Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC, Infineon Technologies

IRF9358PBF характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2W
Исполнение корпуса	8-SO
Base Part Number	IRF9358PBF
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	9.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.3 mOhm @ 9.2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1740pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2W
Исполнение корпуса	8-SO
Base Part Number	IRF9358PBF
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	9.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.3 mOhm @ 9.2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1740pF @ 25V