IRF7755GTRPBF характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1W
Исполнение корпуса	8-TSSOP
Base Part Number	IRF7755GPBF
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	51 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1090pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1W
Исполнение корпуса	8-TSSOP
Base Part Number	IRF7755GPBF
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	51 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1090pF @ 15V

IRF7755GTRPBF

IRF7755GTRPBF характеристики