IRF7701GTRPBF Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP, Infineon Technologies

IRF7701GTRPBF характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-TSSOP
Рассеивание мощности (Макс)	1.5W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 10A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5050pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-TSSOP
Рассеивание мощности (Макс)	1.5W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 10A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5050pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V