IRF7526D1TRPBF характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	FETKY™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	Micro8™
Рассеивание мощности (Макс)	1.25W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Isolated)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 1.2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	180pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	FETKY™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	Micro8™
Рассеивание мощности (Макс)	1.25W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Isolated)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 1.2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	180pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

IRF7526D1TRPBF

IRF7526D1TRPBF характеристики