IRF7303TRPBF Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 4,9А; 2Вт; SO8, Infineon Technologies

IRF7303TRPBF характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2W
Исполнение корпуса	8-SO
Base Part Number	IRF7303PBF
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 2.4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	520pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2W
Исполнение корпуса	8-SO
Base Part Number	IRF7303PBF
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 2.4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	520pF @ 25V