IRF6628TR1PBF Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET, Infineon Technologies

IRF6628TR1PBF характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	DirectFET™ Isometric MX
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	DIRECTFET™ MX
Рассеивание мощности (Макс)	2.8W (Ta), 96W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	27A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 27A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3770pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	DirectFET™ Isometric MX
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	DIRECTFET™ MX
Рассеивание мощности (Макс)	2.8W (Ta), 96W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	27A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 27A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3770pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V