IRF6201PBF Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 20V 27A 8-SO, Infineon Technologies

IRF6201PBF характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-SO
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	27A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.45 mOhm @ 27A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	195nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8555pF @ 16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V

Характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-SO
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	27A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.45 mOhm @ 27A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	195nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8555pF @ 16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V