IRF5305PBF характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220AB
Рассеивание мощности (Макс)	110W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	55V
Ток стока (Id) @ 25°C	31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 16A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	63nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1200pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220AB
Рассеивание мощности (Макс)	110W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	55V
Ток стока (Id) @ 25°C	31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 16A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	63nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1200pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

IRF5305PBF

IRF5305PBF характеристики