IPT65R033G7XTMA1 характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	CoolMOS™ C7
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerSFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PG-HSOF-8
Рассеивание мощности (Макс)	391W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	650V
Ток стока (Id) @ 25°C	69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33 mOhm @ 28.9A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 1.44mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5000pF @ 400V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	CoolMOS™ C7
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerSFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PG-HSOF-8
Рассеивание мощности (Макс)	391W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	650V
Ток стока (Id) @ 25°C	69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33 mOhm @ 28.9A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 1.44mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5000pF @ 400V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

IPT65R033G7XTMA1

IPT65R033G7XTMA1 характеристики