IPP023N04NGXKSA1 характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	PG-TO-220-3
Рассеивание мощности (Макс)	167W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3 mOhm @ 90A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 95µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	10000pF @ 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	PG-TO-220-3
Рассеивание мощности (Макс)	167W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3 mOhm @ 90A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 95µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	10000pF @ 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

IPP023N04NGXKSA1

IPP023N04NGXKSA1 характеристики