Описание

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 1,4А; 6Вт; PG-SOT223; ESD

185 ₽

32421 шт
5-6 недель

1 шт

185 ₽
10 шт

126 ₽
100 шт

90 ₽
500 шт

76 ₽
1000 шт

68 ₽
3000 шт

62 ₽
6000 шт

59 ₽
9000 шт

57 ₽

Добавить в корзину 1 шт на сумму 185 ₽
При покупке кэшбэк 27 баллов

Добавить в корзину

IPN95R3K7P7ATMA1 характеристики
Корпус	PG-SOT223
Технология	CoolMOS™ P7
Тип транзистора	N-MOSFET
Заряд затвора	6нC
Монтаж	SMD
Вид упаковки	бобина
Напряжение сток-исток	950В
Ток стока	1,4А
Сопротивление в открытом состоянии	3,7Ом
Рассеиваемая мощность	6Вт
Полярность	полевой
Версия	ESD
Вид канала	обогащенный
Напряжение затвор-исток	±20В

Производитель

Infineon Technologies

Документация

Datasheetpdf, 4,31 KB

Характеристики	Выбрать все
Корпус	PG-SOT223
Технология	CoolMOS™ P7
Тип транзистора	N-MOSFET
Заряд затвора	6нC
Монтаж	SMD
Вид упаковки	бобина
Напряжение сток-исток	950В
Ток стока	1,4А
Сопротивление в открытом состоянии	3,7Ом
Рассеиваемая мощность	6Вт
Полярность	полевой
Версия	ESD
Вид канала	обогащенный
Напряжение затвор-исток	±20В

IPN95R3K7P7ATMA1

Описание

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 1,4А; 6Вт; PG-SOT223; ESD

* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию

Производитель

Infineon Technologies

Документация

Datasheetpdf, 4,31 KB

Бесплатная доставка IPN95R3K7P7ATMA1 по России

Разное IPN95R3K7P7ATMA1 Infineon Technologies доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить IPN95R3K7P7ATMA1 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.