IPLU300N04S4R8XTMA1 характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerSFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	H-PSOF-8-1
Рассеивание мощности (Макс)	429W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.77 mOhm @ 100A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 230µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	287nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	22945pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerSFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	H-PSOF-8-1
Рассеивание мощности (Макс)	429W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.77 mOhm @ 100A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 230µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	287nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	22945pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

IPLU300N04S4R8XTMA1

IPLU300N04S4R8XTMA1 характеристики