IPG20N04S4L08ATMA1 характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	54W
Исполнение корпуса	PG-TDSON-8-4
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.2 mOhm @ 17A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 22µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3050pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	54W
Исполнение корпуса	PG-TDSON-8-4
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.2 mOhm @ 17A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 22µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3050pF @ 25V

IPG20N04S4L08ATMA1

IPG20N04S4L08ATMA1 характеристики