IPD025N06NATMA1 от 475 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 167Вт; PG-TO252-3, Infineon Technologies

IPD025N06NATMA1 характеристики	Выбрать все
Серия	OptiMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	PG-TO252-3
Рассеивание мощности (Макс)	3W (Ta), 167W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 90A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.8V @ 95µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	71nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5200pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	OptiMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	PG-TO252-3
Рассеивание мощности (Макс)	3W (Ta), 167W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 90A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.8V @ 95µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	71nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5200pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V