IPB65R190C7ATMA1 Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13А; 72Вт; PG-TO263-3, Infineon Technologies

IPB65R190C7ATMA1 характеристики	Выбрать все
Серия	CoolMOS™ C7
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	D?PAK (TO-263AB)
Рассеивание мощности (Макс)	72W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	650V
Ток стока (Id) @ 25°C	13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 5.7A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 290µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1150pF @ 400V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	CoolMOS™ C7
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	D?PAK (TO-263AB)
Рассеивание мощности (Макс)	72W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	650V
Ток стока (Id) @ 25°C	13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 5.7A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 290µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1150pF @ 400V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V