IPB108N15N3GATMA1 характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D?PAK (TO-263AB)
Рассеивание мощности (Макс)	214W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	150V
Ток стока (Id) @ 25°C	83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.8 mOhm @ 83A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 160µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3230pF @ 75V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D?PAK (TO-263AB)
Рассеивание мощности (Макс)	214W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	150V
Ток стока (Id) @ 25°C	83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.8 mOhm @ 83A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 160µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3230pF @ 75V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Vgs (Max)	±20V

IPB108N15N3GATMA1

IPB108N15N3GATMA1 характеристики