IPB057N06NATMA1 от 363 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 45А; 83Вт; PG-TO263-3, Infineon Technologies

IPB057N06NATMA1 характеристики	Выбрать все
Серия	OptiMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D?PAK (TO-263AB)
Рассеивание мощности (Макс)	3W (Ta), 83W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.7 mOhm @ 45A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.8V @ 36µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	OptiMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D?PAK (TO-263AB)
Рассеивание мощности (Макс)	3W (Ta), 83W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.7 mOhm @ 45A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.8V @ 36µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V