IPB029N06N3GE8187ATMA1 характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D?PAK (TO-263AB)
Рассеивание мощности (Макс)	188W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2 mOhm @ 100A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 118µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	165nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	13000pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D?PAK (TO-263AB)
Рассеивание мощности (Макс)	188W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2 mOhm @ 100A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 118µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	165nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	13000pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

IPB029N06N3GE8187ATMA1

IPB029N06N3GE8187ATMA1 характеристики