+7 (495) 133-39-03 | info@zener.ru
+7 (495) 133-39-03
корзина
Нет товаров
Электронные компоненты оптом и в розницу
корзина
Нет товаров
Каталог товаров
Назад
Все категории
Назад

IPB026N06NATMA1

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 136Вт; PG-TO263-3
442 ₽
  • 1 шт
    442 ₽
  • 10 шт
    318 ₽
  • 100 шт
    243 ₽
  • 250 шт
    230 ₽
  • 500 шт
    207 ₽
  • 1000 шт
    191 ₽
  • 2000 шт
    191 ₽
  • 10000 шт
    189 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 442 ₽
При покупке кэшбэк 66 баллов
Добавить в корзину


IPB026N06NATMA1 характеристики
Серия OptiMOS™
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса D?PAK (TO-263AB)
Рассеивание мощности (Макс) 3W (Ta), 136W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
Ток стока (Id) @ 25°C 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 mOhm @ 100A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.8V @ 75µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4100pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs (Max) ±20V
  • Производитель
    Infineon Technologies

Характеристики
Серия OptiMOS™
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса D?PAK (TO-263AB)
Рассеивание мощности (Макс) 3W (Ta), 136W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
Ток стока (Id) @ 25°C 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 mOhm @ 100A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.8V @ 75µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4100pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs (Max) ±20V

IPB026N06NATMA1

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 136Вт; PG-TO263-3
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Infineon Technologies

Бесплатная доставка IPB026N06NATMA1 по России

Транзисторы — полевые — одиночные IPB026N06NATMA1 Infineon Technologies доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить IPB026N06NATMA1 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
AO3160
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,03А; 0,89Вт; SOT23A-3
3,000 шт.
415 шт.
от 29 ₽
+ 22
AO3162
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
1 шт.
5178 шт.
от 44 ₽
+ 145
AO3400
AO3400
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
3,000 шт.
534 шт.
от 36 ₽
+ 146
AO3400A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,7А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
513673 шт.
от 88 ₽
+ 13
AO3401A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
596756 шт.
от 88 ₽
+ 13
Смотреть все
Выберите ваш город