IPB025N10N3GE8187ATMA1 характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™
Part Status	Not For New Designs
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-7, D?Pak (6 Leads + Tab)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	PG-TO263-7
Рассеивание мощности (Макс)	300W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 100A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.5V @ 275µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	206nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	14800pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™
Part Status	Not For New Designs
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-7, D?Pak (6 Leads + Tab)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	PG-TO263-7
Рассеивание мощности (Макс)	300W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 100A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.5V @ 275µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	206nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	14800pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V

IPB025N10N3GE8187ATMA1

IPB025N10N3GE8187ATMA1 характеристики