IPB020N10N5LFATMA1 характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™-5
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PG-TO263-3
Рассеивание мощности (Макс)	313W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 mOhm @ 100A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.1V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	195nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	840pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™-5
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PG-TO263-3
Рассеивание мощности (Макс)	313W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 mOhm @ 100A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.1V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	195nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	840pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

IPB020N10N5LFATMA1

IPB020N10N5LFATMA1 характеристики