HTNFET-DC характеристики	Выбрать все
Производитель	Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
Серия	HTMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	8-CDIP Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-
Исполнение корпуса	-
Рассеивание мощности (Макс)	50W (Tj)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	55V
Ток стока (Id) @ 25°C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 100mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.3nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 28V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (Max)	10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
Серия	HTMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	8-CDIP Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-
Исполнение корпуса	-
Рассеивание мощности (Макс)	50W (Tj)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	55V
Ток стока (Id) @ 25°C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 100mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.3nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 28V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (Max)	10V

HTNFET-DC

HTNFET-DC характеристики