HN4K03JUTE85LF характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	USV
Рассеивание мощности (Макс)	200mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 Ohm @ 10mA, 2.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8.5pF @ 3V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V
Vgs (Max)	10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	USV
Рассеивание мощности (Макс)	200mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 Ohm @ 10mA, 2.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8.5pF @ 3V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V
Vgs (Max)	10V

HN4K03JUTE85LF

HN4K03JUTE85LF характеристики