HD3SS3411IRWAR характеристики	Выбрать все
Производитель	Texas Instruments
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	14-WFQFN Exposed Pad
Рабочая температура	-40°C ~ 105°C (TA)
Исполнение корпуса	14-WQFN (3.5x3.5)
Количество схем	1
Полоса пропускания -3 дБ	7.5GHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	-
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	8 Ohm
Напряжение питания (V+)	3 V ~ 3.6 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	500 mOhm (Max)
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	-
Инжекция заряда	-
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	-
Ток утечки (IS(off)) (Max)	-
Перекрёстные помехи	-35dB @ 4Ghz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Texas Instruments
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	14-WFQFN Exposed Pad
Рабочая температура	-40°C ~ 105°C (TA)
Исполнение корпуса	14-WQFN (3.5x3.5)
Количество схем	1
Полоса пропускания -3 дБ	7.5GHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	-
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	8 Ohm
Напряжение питания (V+)	3 V ~ 3.6 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	500 mOhm (Max)
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	-
Инжекция заряда	-
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	-
Ток утечки (IS(off)) (Max)	-
Перекрёстные помехи	-35dB @ 4Ghz

HD3SS3411IRWAR

HD3SS3411IRWAR характеристики