HCT7000M характеристики	Выбрать все
Производитель	TT Electronics/Optek Technology
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	3-SMD, No Lead
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	3-SMD
Рассеивание мощности (Макс)	300mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±40V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	TT Electronics/Optek Technology
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	3-SMD, No Lead
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	3-SMD
Рассеивание мощности (Макс)	300mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±40V

HCT7000M

HCT7000M характеристики