HAT2267H-EL-E характеристики	Выбрать все
Производитель	Renesas Electronics America
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-100, SOT-669
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	LFPAK
Рассеивание мощности (Макс)	25W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	80V
Ток стока (Id) @ 25°C	25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 12.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2150pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Renesas Electronics America
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-100, SOT-669
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	LFPAK
Рассеивание мощности (Макс)	25W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	80V
Ток стока (Id) @ 25°C	25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 12.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2150pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V

HAT2267H-EL-E

HAT2267H-EL-E характеристики