Каталог товаров
Назад

GPA030A135MN-FDR

  • Описание
    IGBT 1350V 60A 329W TO3PN


GPA030A135MN-FDR характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Tube
Вид монтажа Through Hole
Корпус TO-3
Тип входа Standard
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 329W
Исполнение корпуса TO-3PN
Время восстановления запорного слоя (trr) 450ns
Максимальный Ток Коллектора (Ic) 60A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1350V
Тип IGBT Trench Field Stop
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A
Коллекторный ток (Icm) 90A
Энергия переключения 4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
Заряд затвора 300nC
Время задержки (Включения/Выключения) @ 25°C 30ns/145ns
Условие испытаний 600V, 30A, 5 Ohm, 15V

Характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Tube
Вид монтажа Through Hole
Корпус TO-3
Тип входа Standard
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 329W
Исполнение корпуса TO-3PN
Время восстановления запорного слоя (trr) 450ns
Максимальный Ток Коллектора (Ic) 60A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1350V
Тип IGBT Trench Field Stop
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A
Коллекторный ток (Icm) 90A
Энергия переключения 4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
Заряд затвора 300nC
Время задержки (Включения/Выключения) @ 25°C 30ns/145ns
Условие испытаний 600V, 30A, 5 Ohm, 15V

GPA030A135MN-FDR

  • Описание
    IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
GPA030A135MN-FDR
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию



Бесплатная доставка GPA030A135MN-FDR по России

Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные GPA030A135MN-FDR Global Power Technologies Group доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить GPA030A135MN-FDR с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
IGBT 650V 5A TO263
1 шт.
1 шт.
от 428 ₽
+ 64
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: IGBT; 600В; 5А; 21,7Вт; TO252; Eвыкл: 0,04мДж
2,500 шт.
4998 шт.
от 335 ₽
+ 50
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвыкл: 0,049мДж
2,500 шт.
2455 шт.
от 187 ₽
+ 28
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: IGBT; 600В; 20А; 83Вт; TO247; Eвыкл: 0,18мДж
240 шт.
98 шт.
от 555 ₽
+ 83
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 114Вт; TO247; Eвыкл: 0,28мДж
240 шт.
697 шт.
от 510 ₽
+ 77