GPA030A135MN-FDR

Описание

IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

Отправить запрос

GPA030A135MN-FDR характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-3
Тип входа	Standard
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	329W
Исполнение корпуса	TO-3PN
Время восстановления запорного слоя (trr)	450ns
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	60A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	1350V
Тип IGBT	Trench Field Stop
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 30A
Коллекторный ток (Icm)	90A
Энергия переключения	4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
Заряд затвора	300nC
Время задержки (Включения/Выключения) @ 25°C	30ns/145ns
Условие испытаний	600V, 30A, 5 Ohm, 15V

Документация

Datasheetpdf, 4,6 KB

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-3
Тип входа	Standard
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	329W
Исполнение корпуса	TO-3PN
Время восстановления запорного слоя (trr)	450ns
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	60A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	1350V
Тип IGBT	Trench Field Stop
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 30A
Коллекторный ток (Icm)	90A
Энергия переключения	4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
Заряд затвора	300nC
Время задержки (Включения/Выключения) @ 25°C	30ns/145ns
Условие испытаний	600V, 30A, 5 Ohm, 15V

GPA030A135MN-FDR

Описание

IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

GPA030A135MN-FDR

* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию

Документация

Datasheetpdf, 4,6 KB

Бесплатная доставка GPA030A135MN-FDR по России

Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные GPA030A135MN-FDR Global Power Technologies Group доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить GPA030A135MN-FDR с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.

Похожие товары

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

IGBT 650V 5A TO263

1 шт.

243 шт.

от 430 ₽

+ 65

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 600В; 5А; 21,7Вт; TO252; Eвыкл: 0,04мДж

2,500 шт.

5000 шт.

от 368 ₽

+ 55

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 28Вт; TO252; Eвыкл: 0,07мДж

1 шт.

2208 шт.

от 366 ₽

+ 55

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвыкл: 0,049мДж

2,500 шт.

2459 шт.

от 190 ₽

+ 29

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 1,35кВ; 20А; 170Вт; TO247; 1,05мДж

240 шт.

158 шт.

от 953 ₽

+ 143

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 600В; 20А; 83Вт; TO247; Eвыкл: 0,18мДж

240 шт.

108 шт.

от 564 ₽

+ 85

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 114Вт; TO247; Eвыкл: 0,28мДж

240 шт.

73 шт.

от 979 ₽

+ 147

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 30А; 170Вт; TO247; 1,28мДж

240 шт.

197 шт.

от 909 ₽

+ 136

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 83Вт; TO247; Eвыкл: 0,24мДж

240 шт.

85 шт.

от 455 ₽

+ 68

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 150Вт; TO247; Eвыкл: 0,41мДж

240 шт.

123 шт.

от 833 ₽

+ 125

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 600В; 40А; 111Вт; TO247; Eвыкл: 0,3мДж

240 шт.

236 шт.

от 905 ₽

+ 136

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 150Вт; TO247; Eвыкл: 0,46мДж

240 шт.

42 шт.

от 893 ₽

+ 134

Смотреть все

Выберите ваш город