Каталог товаров
Назад

GPA015A120MN-ND

  • Описание
    IGBT 1200V 30A 212W TO3PN


GPA015A120MN-ND характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Tube
Вид монтажа Through Hole
Корпус TO-3P-3, SC-65-3
Тип входа Standard
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 212W
Исполнение корпуса TO-3PN
Время восстановления запорного слоя (trr) 320ns
Максимальный Ток Коллектора (Ic) 30A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200V
Тип IGBT NPT and Trench
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 15A
Коллекторный ток (Icm) 45A
Энергия переключения 1.61mJ (on), 530µJ (off)
Заряд затвора 210nC
Время задержки (Включения/Выключения) @ 25°C 25ns/166ns
Условие испытаний 600V, 15A, 10 Ohm, 15V

Характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Tube
Вид монтажа Through Hole
Корпус TO-3P-3, SC-65-3
Тип входа Standard
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 212W
Исполнение корпуса TO-3PN
Время восстановления запорного слоя (trr) 320ns
Максимальный Ток Коллектора (Ic) 30A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200V
Тип IGBT NPT and Trench
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 15A
Коллекторный ток (Icm) 45A
Энергия переключения 1.61mJ (on), 530µJ (off)
Заряд затвора 210nC
Время задержки (Включения/Выключения) @ 25°C 25ns/166ns
Условие испытаний 600V, 15A, 10 Ohm, 15V

GPA015A120MN-ND

  • Описание
    IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
GPA015A120MN-ND
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию



Бесплатная доставка GPA015A120MN-ND по России

Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные GPA015A120MN-ND Global Power Technologies Group доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить GPA015A120MN-ND с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
IGBT 650V 5A TO263
1 шт.
243 шт.
от 466 ₽
+ 70
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: IGBT; 600В; 5А; 21,7Вт; TO252; Eвыкл: 0,04мДж
2,500 шт.
5000 шт.
от 399 ₽
+ 60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 28Вт; TO252; Eвыкл: 0,07мДж
1 шт.
2208 шт.
от 397 ₽
+ 60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвыкл: 0,049мДж
2,500 шт.
2459 шт.
от 205 ₽
+ 31
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: IGBT; 1,35кВ; 20А; 170Вт; TO247; 1,05мДж
240 шт.
158 шт.
от 1 033 ₽
+ 155
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: IGBT; 600В; 20А; 83Вт; TO247; Eвыкл: 0,18мДж
240 шт.
111 шт.
от 607 ₽
+ 91
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 114Вт; TO247; Eвыкл: 0,28мДж
240 шт.
103 шт.
от 892 ₽
+ 134
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 30А; 170Вт; TO247; 1,28мДж
240 шт.
197 шт.
от 982 ₽
+ 147
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: IGBT; 1,35кВ; 30А; 170Вт; TO247; 1,47мДж
240 шт.
205 шт.
от 1 051 ₽
+ 158
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 83Вт; TO247; Eвыкл: 0,24мДж
240 шт.
85 шт.
от 491 ₽
+ 74
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 150Вт; TO247; Eвыкл: 0,41мДж
240 шт.
129 шт.
от 903 ₽
+ 135
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: IGBT; 600В; 40А; 111Вт; TO247; Eвыкл: 0,3мДж
240 шт.
236 шт.
от 982 ₽
+ 147