GP1M010A080N Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN, Global Power Technologies Group

GP1M010A080N характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-3P-3, SC-65-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-3PN
Рассеивание мощности (Макс)	312W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	900V
Ток стока (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05 Ohm @ 5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2336pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-3P-3, SC-65-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-3PN
Рассеивание мощности (Макс)	312W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	900V
Ток стока (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05 Ohm @ 5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2336pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V