GA20SICP12-247 Транзисторы — полевые — одиночные, TRANS SJT 1200V 45A TO247, GeneSiC Semiconductor

GA20SICP12-247 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247-3
Технология	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-247AB
Рассеивание мощности (Макс)	282W (Tc)
Тип полевого транзистора	-
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1200V
Ток стока (Id) @ 25°C	45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 20A
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3091pF @ 800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (Max)	-

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247-3
Технология	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-247AB
Рассеивание мощности (Макс)	282W (Tc)
Тип полевого транзистора	-
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1200V
Ток стока (Id) @ 25°C	45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 20A
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3091pF @ 800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (Max)	-