GA10JT12-247 характеристики	Выбрать все
Производитель	GeneSiC Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247-3
Технология	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Рабочая температура	175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-247AB
Рассеивание мощности (Макс)	170W (Tc)
Тип полевого транзистора	-
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1200V
Ток стока (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	140 mOhm @ 10A
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (Max)	-

Характеристики	Выбрать все
Производитель	GeneSiC Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247-3
Технология	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Рабочая температура	175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-247AB
Рассеивание мощности (Макс)	170W (Tc)
Тип полевого транзистора	-
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1200V
Ток стока (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	140 mOhm @ 10A
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (Max)	-

GA10JT12-247

GA10JT12-247 характеристики