FW231A-TL-E характеристики	Выбрать все
Производитель	SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.3W
Исполнение корпуса	8-SOP
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 8A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1530pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.3W
Исполнение корпуса	8-SOP
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 8A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1530pF @ 10V

FW231A-TL-E

FW231A-TL-E характеристики