FQN1N50CBU характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	QFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-92-3
Рассеивание мощности (Макс)	890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	500V
Ток стока (Id) @ 25°C	380mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 190mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	195pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	QFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-92-3
Рассеивание мощности (Макс)	890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	500V
Ток стока (Id) @ 25°C	380mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 190mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	195pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

FQN1N50CBU

FQN1N50CBU характеристики