FKV550N характеристики	Выбрать все
Производитель	Sanken
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3 Full Pack
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220F
Рассеивание мощности (Макс)	35W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	50V
Ток стока (Id) @ 25°C	50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 25A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.2V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Sanken
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3 Full Pack
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220F
Рассеивание мощности (Макс)	35W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	50V
Ток стока (Id) @ 25°C	50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 25A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.2V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

FKV550N

FKV550N характеристики