FKP330C характеристики	Выбрать все
Производитель	Sanken
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-3P-3 Full Pack
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-3P
Рассеивание мощности (Макс)	85W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	330V
Ток стока (Id) @ 25°C	30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	63 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4600pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Sanken
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-3P-3 Full Pack
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-3P
Рассеивание мощности (Макс)	85W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	330V
Ток стока (Id) @ 25°C	30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	63 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4600pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

FKP330C

FKP330C характеристики