Каталог товаров
Назад

FF23MR12W1M1B11BOMA1

  • Описание
    MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE


FF23MR12W1M1B11BOMA1 характеристики

Производитель Infineon Technologies
Серия CoolSiC™
Part Status Active
Упаковка Tray
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус Module
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 20mW
Исполнение корпуса Module
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 1200V (1.2kV)
Ток стока (Id) @ 25°C 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 50A, 15V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 5.55V @ 20mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3950pF @ 800V

Характеристики

Производитель Infineon Technologies
Серия CoolSiC™
Part Status Active
Упаковка Tray
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус Module
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 20mW
Исполнение корпуса Module
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 1200V (1.2kV)
Ток стока (Id) @ 25°C 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 50A, 15V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 5.55V @ 20mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3950pF @ 800V

FF23MR12W1M1B11BOMA1

  • Описание
    MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на FF23MR12W1M1B11BOMA1. Транзисторы — полевые — массивы производства Infineon Technologies доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — массивы FF23MR12W1M1B11BOMA1 купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
50 шт.
от 1124 ₽
+ 168600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
83 шт.
от 919 ₽
+ 275700 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 919 ₽
+ 275700 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
31 шт.
от 692 ₽
+ 207600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
357 шт.
от 1019 ₽
+ 305700 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
99 шт.
от 917 ₽
+ 275100 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
252 шт.
от 678 ₽
+ 203400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
43 шт.
от 610 ₽
+ 183000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
44 шт.
от 678 ₽
+ 203400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
3560 шт.
от 612 ₽
+ 183600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
379 шт.
от 678 ₽
+ 203400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
37 шт.
от 612 ₽
+ 183600 баллов