FDZ1416NZ характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	PowerTrench®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	4-XFBGA, WLCSP
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	500mW
Исполнение корпуса	4-WLCSP (1.6x1.4)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	-
Ток стока (Id) @ 25°C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	PowerTrench®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	4-XFBGA, WLCSP
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	500mW
Исполнение корпуса	4-WLCSP (1.6x1.4)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	-
Ток стока (Id) @ 25°C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-

FDZ1416NZ

FDZ1416NZ характеристики