FDW2508PB характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	PowerTrench®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1W
Исполнение корпуса	8-TSSOP
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 6A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3775pF @ 6V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	PowerTrench®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1W
Исполнение корпуса	8-TSSOP
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 6A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3775pF @ 6V

FDW2508PB

FDW2508PB характеристики