FDV304P_NB8U003 характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23
Рассеивание мощности (Макс)	350mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1 Ohm @ 500mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	63pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 4.5V
Vgs (Max)	-8V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23
Рассеивание мощности (Макс)	350mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1 Ohm @ 500mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	63pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 4.5V
Vgs (Max)	-8V

FDV304P_NB8U003

FDV304P_NB8U003 характеристики