FDV301N от 37 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 0,22А; 0,35Вт; SOT23, ON Semiconductor

FDV301N характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23
Рассеивание мощности (Макс)	350mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.06V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9.5pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23
Рассеивание мощности (Макс)	350mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.06V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9.5pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V