Каталог товаров
Назад

FDT86102LZ

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 6,6А; 2,2Вт; SOT223
479
  • 1 шт
    479 ₽
  • 10 шт
    330 ₽
  • 100 шт
    243 ₽
  • 250 шт
    235 ₽
  • 500 шт
    199 ₽
  • 1000 шт
    181 ₽
  • 4000 шт
    181 ₽
  • 8000 шт
    177 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 479
При покупке кэшбэк 71 балл


FDT86102LZ характеристики

Серия PowerTrench®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус TO-261-4, TO-261AA
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса SOT-223-4
Рассеивание мощности (Макс) 2.2W (Ta)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 6.6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1490pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V
  • Производитель
    onsemi / Fairchild

Характеристики

Серия PowerTrench®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус TO-261-4, TO-261AA
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса SOT-223-4
Рассеивание мощности (Макс) 2.2W (Ta)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 6.6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1490pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V

FDT86102LZ

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 6,6А; 2,2Вт; SOT223
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    onsemi / Fairchild

Бесплатная доставка FDT86102LZ по России

Транзисторы — полевые — одиночные FDT86102LZ ON Semiconductor доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить FDT86102LZ с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Сопутствующие товары
Infineon Technologies
IC: driver; одиночный транзистор; high-side,контроллер затвора
95 шт.
780 шт.
от 324 ₽
+ 49

Похожие товары
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,03А; 0,89Вт; SOT23A-3
3,000 шт.
415 шт.
от 31 ₽
+ 23
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
1 шт.
5178 шт.
от 47 ₽
+ 155
AO3400
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
3,000 шт.
534 шт.
от 38 ₽
+ 154
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,7А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
513673 шт.
от 94 ₽
+ 14
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
596756 шт.
от 94 ₽
+ 14