FDS9926A от 198 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 6,5А; 2Вт; SO8, ON Semiconductor

FDS9926A характеристики	Выбрать все
Серия	PowerTrench®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	900mW
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	6.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	650pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Серия	PowerTrench®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	900mW
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	6.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	650pF @ 10V