FDS8949 от 299 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 6А; 2Вт; SO8, ON Semiconductor

FDS8949 характеристики	Выбрать все
Серия	PowerTrench®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2W
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	955pF @ 20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	PowerTrench®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2W
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	955pF @ 20V