Failed to connect to MySQLi: (1040) Too many connections FDS8858CZ от 70 руб, Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-SO, ON Semiconductor
+7 (495) 133-39-03 | info@zener.ru
+7 (495) 133-39-03
корзина
Нет товаров
Электронные компоненты оптом и в розницу
корзина
Нет товаров
Каталог товаров
Назад
Все категории
Назад

FDS8858CZ

  • Описание
    MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-SO


FDS8858CZ характеристики
Производитель ON Semiconductor
Серия PowerTrench®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 900mW
Исполнение корпуса 8-SO
Тип полевого транзистора N and P-Channel
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 8.6A, 7.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 8.6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1205pF @ 15V

Характеристики
Производитель ON Semiconductor
Серия PowerTrench®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 900mW
Исполнение корпуса 8-SO
Тип полевого транзистора N and P-Channel
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 8.6A, 7.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 8.6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1205pF @ 15V

FDS8858CZ

  • Описание
    MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-SO
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на FDS8858CZ. Транзисторы — полевые — массивы производства ON Semiconductor доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — массивы FDS8858CZ купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.


Сопутствующие товары
RE932-01
RE932-01
шт.
4 шт.
от 936 ₽
+ 3510 баллов
Подробнее
1800090
Phoenix Contact
TERM BLOCK
50 шт.
15 шт.
от 388 ₽
+ 58200 баллов
Подробнее
Смотреть все

Похожие товары
ALD1101ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
22 шт.
от 1077 ₽
+ 161550 баллов
Подробнее
ALD1101PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
83 шт.
от 885 ₽
+ 265500 баллов
Подробнее
ALD1102PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 885 ₽
+ 265500 баллов
Подробнее
ALD1102SAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
29 шт.
от 666 ₽
+ 199800 баллов
Подробнее
ALD1103PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
329 шт.
от 981 ₽
+ 294300 баллов
Подробнее
ALD1103SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
99 шт.
от 883 ₽
+ 264900 баллов
Подробнее
ALD1105PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
235 шт.
от 653 ₽
+ 195900 баллов
Подробнее
ALD1105SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
43 шт.
от 587 ₽
+ 176100 баллов
Подробнее
ALD1106PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
520 шт.
от 653 ₽
+ 195900 баллов
Подробнее
ALD1106SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
3063 шт.
от 586 ₽
+ 175800 баллов
Подробнее
ALD1107PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
243 шт.
от 653 ₽
+ 195900 баллов
Подробнее
ALD1107SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
18 шт.
от 590 ₽
+ 177000 баллов
Подробнее
Смотреть все
Выберите ваш город